2014年11月12日

衣服將也能成為手機的電能來源

手機不再怕沒電,美國研發「用衣服發電」

美國哥倫比亞大學與喬治亞理工學院首度證明二維材料二硫化鉬(molybdenum disulfide)能產生壓電效應。這表示,我們將可從褲子幫手機充電,從衣服為智慧型手錶供電。

英國「每日郵報」(Daily Mail)報導,研究人員發現一種全新方法,可用薄如原子的發電機產生電力。

這種材料可在彎曲或拉長時產生電力,研究人員表示,這種材料可以縫入服飾,甚至用在醫療移植。

哥倫比亞大學工學院(Columbia Engineering)與喬治亞理工學院(Georgia Institute of Technology)團隊表示,二硫化鉬可用在穿戴科技。

哥大機械工程系教授兼研究共同領導人洪恩(James Hone)說:「這種材料只有一層原子那麼薄,可用來當作穿戴裝置,也許可嵌入服飾,將人體運動能量轉變成電力,為穿戴感應器或醫療裝置提供動能,也許還能供應足夠電力幫口袋的手機充電。」

這兩個機構的研究團體在15日發布於「自然」(Nature)期刊的論文中證明,可依據機械原理從二維材料二硫化鉬發電。

這些材質產生的壓電效應,之前理論上預測可行。

壓電效果是一種眾所周知的效果,當拉扯或壓縮一種材質時,可讓這種材質生電;反之,將電施用於一種物質時,會讓材料擴張或縮小。

Few-layer ​molybdenum disulfide transistors and circuits for high-speed flexible electronics


Two-dimensional layered materials, such as ​molybdenum disulfide, are emerging as an exciting material system for future electronics due to their unique electronic properties and atomically thin geometry. Here we report a systematic investigation of ​MoS2 transistors with optimized contact and device geometry, to achieve self-aligned devices with performance including an intrinsic gain over 30, an intrinsic cut-off frequency fT up to 42 GHz and a maximum oscillation frequency fMAX up to 50 GHz, exceeding the reported values for ​MoS2 transistors to date (fT~0.9 GHz, fMAX~1 GHz). Our results show that logic inverters or radio frequency amplifiers can be formed by integrating multiple ​MoS2 transistors on quartz or flexible substrates with voltage gain in the gigahertz regime. This study demonstrates the potential of two-dimensional layered semiconductors for high-speed flexible electronics.

資訊來源 Source: Nature.com

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